本文摘要：铋是元素周期表中最轻的非放射性元素，与附近的其它轻金属元素比起，毒性大于，被指出是一种绿色元素。
铋是元素周期表中最轻的非放射性元素，与附近的其它轻金属元素比起，毒性大于，被指出是一种绿色元素。铋化物半导体材料还包括III-V化合物半导体中含有少量铋原子构成的熟铋材料、Bi2Te3和Bi2Se3等传统热电材料和新型流形绝缘体材料以及以BiFeO3为代表的不含铋氧化物材料等，具备很多新奇的物理特性，未来将会代替Cd、Pb、Sb、Hg等剧毒轻金属元素，沦为信息、能源和医学领域中新一代可持续的半导体功能材料，近年来受到国际上的普遍注目，自2010年起，每年举行一届铋化物物理、材料与器件的国际专题材料会议。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室千人计划研究员王庶民领导的团队，与瑞典Chalmers理工大学合作，在熟铋化合物材料和Bi2Te3材料外延生长方面获得了一系列突破，在世界上用分子束外延方法（MolecularBeamEpitaxy，MBE）首次生长了GaSbBi单晶，构建了GaAs基上InGaAsBi量子阱通讯波段1.3微米室温闪烁，取得了Bi2Te3薄膜室温迁移率700cm2/Vs和4.2K低温迁移率7000cm2/Vs的世界纪录；自律使用重点实验室气态分子束外延系统V90在世界上首次生长了高质量InPBi、InGaPBi和InAlPBi薄膜单晶，430纳米InPBi薄膜X双晶散射摆动曲线半峰长仅有为42arcsec，最低铋原子浓度多达4%，找到了InPBi中室温无法解释长光谱闪烁现象，部分成果已被ScientificReports接管。
1988年Berding等人应验分析了InPBi、InAsBi和InSbBi三种有潜力的新型中红外材料，后两种材料早已被报导，熟铋磷化物晶体为首次制备。 上海微系统所铋化物半导体材料研究早已受到国际注目，王庶民团队应邀编写了由德国Springer出版社出版发行的世界上第一本铋化物半导体专著BismuthContainingCompounds的第一章，自2013年以来在还包括第18届国际分子束外延大会、第5届国际铋化物半导体材料会议和第17届国际半透明光网络会议等序列国际会议上代表该所取得7次大会邀报告。
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